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FQD1N60CTM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
FQD1N60CTM Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQD1N50 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 725 |
FQD1N50 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5523 |
FQD1N50B | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 2997 |
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
FQD1N50TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
FQD1N50TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2560 |
FQD1N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2682 |
FQD1N60 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 36095 |
FQD1N60C | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 3640 |
FQD1N60C MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 24040 |
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