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FQD2N80TM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQD2N100 | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 20446 |
FQD2N100TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2708 |
FQD2N100TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2524 |
FQD2N100TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6627 |
FQD2N100TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 6627 |
FQD2N100TM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FQD2N100TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4930 |
FQD2N30 | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 7000 |
FQD2N30 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 2779 |
FQD2N30TF | VB | Circuits intégrés spécialisés | 5000 |
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