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FQE10N20LCTU
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FQE10N20LCTU Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-126 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 12.8W (Tc) |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
FQE10N20LCTU Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQE10N20CTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
FQE10N20CTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2680 |
FQE10N20LCTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2601 |
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