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FQI4N20TU Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQI4N20 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 3500 |
FQI4N20L | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 466 |
FQI4N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2630 |
FQI4N20LTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 0 |
FQI4N20TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3000 |
FQI4N20TU | Rochester Electronics, LLC | FQI4N20TU | |
FQI4N25 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 8000 |
FQI4N25TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2530 |
FQI4N25TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2682 |
FQI4N60 | Original | Circuits intégrés spécialisés | 2543 |
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