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FQU2N100TU Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 800mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A (Tc)
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FQU2N100TU fabricants de marques: Fairchild/ON Semiconductor, Bonchip action, FQU2N100TU prix de référence. FQU2N100TU paramètres, FQU2N100TU Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FQU2N100TU Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FQU2N100TU schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FQU2N100TU tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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