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MMBTH11 Spécifications techniques
TRANSISTOR RF NPN SOT-23
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 650MHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 225mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
MMBTH11 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MMBTH-4LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 3439 |
MMBTH10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 87995 |
MMBTH10 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 42428 |
MMBTH10 | ON Semiconductor | Transistors RF BJT | |
MMBTH10 | Rochester Electronics, LLC | Transistors RF BJT | |
MMBTH10 3E | CJ | Circuits intégrés spécialisés | 42433 |
MMBTH10 3EM | Original | Circuits intégrés spécialisés | 207500 |
MMBTH10-4LT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 2643 |
MMBTH10-4LT1 | ON Semiconductor | Transistors RF BJT | |
MMBTH10-4LT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - RF | 7580 |
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