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NDC631N Spécifications techniques

MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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