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NDS356AP Spécifications techniques
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.3A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.4nC @ 5V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
NDS356AP Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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NDS351AN | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1263 |
NDS351AN | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 70418 |
NDS351AN | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
NDS351AN MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4446 |
NDS351AN-NL | F | Circuits intégrés spécialisés | 38390 |
NDS351AN_NL | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 2578 |
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NDS351N | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5205 |
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