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1N3766 Spécifications techniques
DIODE GEN PURP 800V 35A DO5
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Simple |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Supplier Device Package | DO-5 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud |
Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitance @ Vr, F | - |
1N3766 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
1N3765 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2749 |
1N3765R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2513 |
1N3766 | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2565 |
1N3766R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2596 |
1N3766R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 0 |
1N3767 | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2502 |
1N3767 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2692 |
1N3767R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2559 |
1N3767R | Microsemi | Diodes - Redresseurs - Simple | 2603 |
1N3768 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Simple | 2714 |
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