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GA04JT17-247
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GA04JT17-247 Spécifications techniques
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480 mOhm @ 4A |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) (95°C) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | 3.45V |
Supplier Device Package | TO-247AB |
Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV) |
GA04JT17-247 Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|
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