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GA20JT12-263
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GA20JT12-263 Spécifications techniques
TRANS SJT 1200V 45A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 20A |
Packaging | - |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3091pF @ 800V |
FET Type | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | 3.44V |
Supplier Device Package | - |
Power Dissipation (Max) | 282W (Tc) |
Package / Case | - |
Mounting Type | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
GA20JT12-263 Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2541 |
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