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MBR120200CTR Spécifications techniques

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 2 TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 920mV @ 60A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 60A
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MBR120200CTR fabricants de marques: GeneSiC Semiconductor, Bonchip action, MBR120200CTR prix de référence. MBR120200CTR paramètres, MBR120200CTR Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MBR120200CTR Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MBR120200CTR schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MBR120200CTR tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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