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MBR12030CTR Spécifications techniques
DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 60A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 120A (DC) |
MBR12030CTR Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBR120 | KF | Circuits intégrés spécialisés | 120352 |
MBR120 X2 | KF | Circuits intégrés spécialisés | 60000 |
MBR1200 | PANJIT | Circuits intégrés spécialisés | 10266 |
MBR120100 | MOTOROLA | Modules IGBT | 2874 |
MBR120100CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2772 |
MBR120100CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2571 |
MBR120100R | MOTOROLA | Modules IGBT | 2839 |
MBR120150CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2755 |
MBR120150CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2593 |
MBR120150WT | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2609 |
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