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MBR20030CT Spécifications techniques

DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650mV @ 100A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 5mA @ 20V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
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MBR20030CT fabricants de marques: GeneSiC Semiconductor, Bonchip action, MBR20030CT prix de référence. MBR20030CT paramètres, MBR20030CT Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MBR20030CT Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MBR20030CT schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MBR20030CT tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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