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MBR20030CTR Spécifications techniques
DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5mA @ 20V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
MBR20030CTR Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBR200100 | MOTOROLA | Modules IGBT | 2797 |
MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2727 |
MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2700 |
MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2518 |
MBR200100R | MOTOROLA | Modules IGBT | 2689 |
MBR20010CT | MOTOROLA | Modules IGBT | 2600 |
MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2682 |
MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2730 |
MBR20015CTL | MOTOROLA | Modules IGBT | 2844 |
MBR20020 | MOTOROLA | Modules IGBT | 3000 |
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