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MBR300150CT Spécifications techniques
DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 150A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 150V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 150A |
MBR300150CT Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBR300/100CT | IGBT Module | Modules IGBT | 2853 |
MBR300100 | IGBT Module | Modules IGBT | 2990 |
MBR300100CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2792 |
MBR300100CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2715 |
MBR300150CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2523 |
MBR30020 | MOTOROLA | Modules IGBT | 2890 |
MBR300200CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2508 |
MBR300200CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2609 |
MBR30020CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2775 |
MBR30020CTL | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2526 |
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