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MBR40035CTRL Spécifications techniques
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 3mA @ 35V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBR400100 | IGBT Module | Modules IGBT | 2340 |
MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 1418 |
MBR400100CTL | ON | Modules IGBT | 2772 |
MBR400100CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2712 |
MBR400100TC | MOTORO | Modules IGBT | 2686 |
MBR400150CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2500 |
MBR400150CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2778 |
MBR400200CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2766 |
MBR400200CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2559 |
MBR40020CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2704 |
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