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MBR60030CT Spécifications techniques

DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 750mV @ 300A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 20V
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MBR60030CT fabricants de marques: GeneSiC Semiconductor, Bonchip action, MBR60030CT prix de référence. MBR60030CT paramètres, MBR60030CT Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MBR60030CT Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MBR60030CT schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MBR60030CT tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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