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MBR60030CTRL Spécifications techniques

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 580mV @ 300A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 30V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
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MBR60030CTRL fabricants de marques: GeneSiC Semiconductor, Bonchip action, MBR60030CTRL prix de référence. MBR60030CTRL paramètres, MBR60030CTRL Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MBR60030CTRL Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MBR60030CTRL schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MBR60030CTRL tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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