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MBR60040CTRL Spécifications techniques
DIODE SCHOTTKY 40V 300A 2 TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 300A |
Supplier Device Package | Twin Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5mA @ 40V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | Twin Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 300A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MBR600100CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2803 |
MBR600100CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2719 |
MBR600150CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2646 |
MBR600150CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2526 |
MBR600200CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2582 |
MBR600200CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2749 |
MBR60020CT | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2755 |
MBR60020CTL | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2623 |
MBR60020CTR | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2523 |
MBR60020CTRL | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2576 |
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