MSRT100120(A)D Spécifications techniques

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 100A
Supplier Device Package Three Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 1200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case Three Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A
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