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MSRT25080(A) Spécifications techniques
DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 250A |
Supplier Device Package | Three Tower |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 15µA @ 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | Three Tower |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250A (DC) |
MSRT25080(A) Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2507 |
MSRT200100(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2658 |
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2525 |
MSRT200120(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2700 |
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2511 |
MSRT200140(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 0 |
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2642 |
MSRT200160(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2741 |
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2756 |
MSRT20060(A)D | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2637 |
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