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MURT10060R Spécifications techniques

DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A
Supplier Device Package Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Package / Case Three Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration -
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A (DC)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 175°C
Diode Type Standard, Reverse Polarity
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
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MURT10060R fabricants de marques: GeneSiC Semiconductor, Bonchip action, MURT10060R prix de référence. MURT10060R paramètres, MURT10060R Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MURT10060R Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MURT10060R schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MURT10060R tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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