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MURT20010R Spécifications techniques
DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 100A |
Supplier Device Package | Three Tower |
Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
Package / Case | Three Tower |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 50V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Mounting Type | Chassis Mount |
Diode Configuration | 1 Pair Common Anode |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 200A (DC) |
MURT20010R Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
MURT20005 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2768 |
MURT20005R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2783 |
MURT20010 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2595 |
MURT20020 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2532 |
MURT20020R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2657 |
MURT20040 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2578 |
MURT20040R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2545 |
MURT20060 | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2543 |
MURT20060R | GeneSiC Semiconductor | Diodes - Redresseurs - Réseaux | 2694 |
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