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MURTA400120 Spécifications techniques

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Diodes - Redresseurs - Réseaux
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.6V @ 200A
Supplier Device Package Three Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 1200V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case Three Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
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MURTA400120 fabricants de marques: GeneSiC Semiconductor, Bonchip action, MURTA400120 prix de référence. MURTA400120 paramètres, MURTA400120 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le MURTA400120 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver MURTA400120 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, MURTA400120 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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