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GP1M008A080H Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1921pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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GP1M008A080H fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GP1M008A080H prix de référence. GP1M008A080H paramètres, GP1M008A080H Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GP1M008A080H Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GP1M008A080H schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GP1M008A080H tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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