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GP1M009A090N
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GP1M009A090N Spécifications techniques
MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Global Power Technologies Group |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-3PN |
Power Dissipation (Max) | 312W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4.75A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2324pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
GP1M009A090N Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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