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GP1M010A080FH Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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GP1M010A080FH fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GP1M010A080FH prix de référence. GP1M010A080FH paramètres, GP1M010A080FH Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GP1M010A080FH Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GP1M010A080FH schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GP1M010A080FH tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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