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GP1M018A020HG Spécifications techniques

MOSFET N-CH 200V 18A TO220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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GP1M018A020HG fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GP1M018A020HG prix de référence. GP1M018A020HG paramètres, GP1M018A020HG Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GP1M018A020HG Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GP1M018A020HG schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GP1M018A020HG tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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