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GP1M020A060N Spécifications techniques

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3PN
Power Dissipation (Max) 347W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 330 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2097pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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GP1M020A060N fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GP1M020A060N prix de référence. GP1M020A060N paramètres, GP1M020A060N Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GP1M020A060N Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GP1M020A060N schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GP1M020A060N tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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