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GP2M002A060PG
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GP2M002A060PG Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 2A
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | Global Power Technologies Group |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Power Dissipation (Max) | 52.1W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 360pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
GP2M002A060PG Documents
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---|---|---|---|
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