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GSID200A170S3B1 Spécifications techniques

SILICON IGBT MODULES

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package D3
Power - Max 1630W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module 2 Independent 1200V 400A 1630W Chassis Mount D3
Current - Collector (Ic) (Max) 400A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 200A
Series Amp+™
Package / Case D-3 Module
NTC Thermistor No
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 26nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration 2 Independent
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GSID200A170S3B1 fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GSID200A170S3B1 prix de référence. GSID200A170S3B1 paramètres, GSID200A170S3B1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GSID200A170S3B1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GSID200A170S3B1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GSID200A170S3B1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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