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GSID600A120S4B1 Spécifications techniques

SILICON IGBT MODULES

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - IGBT - Modules
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Power - Max 3060W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Half Bridge 1200V 1130A 3060W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 1130A
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 600A
Series Amp+™
Package / Case Module
NTC Thermistor Yes
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 51nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Configuration Half Bridge
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GSID600A120S4B1 fabricants de marques: Global Power Technologies Group, Bonchip action, GSID600A120S4B1 prix de référence. GSID600A120S4B1 paramètres, GSID600A120S4B1 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le GSID600A120S4B1 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver GSID600A120S4B1 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, GSID600A120S4B1 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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