IS43DR82560B-25EBLI Spécifications techniques

IC DRAM 2G PARALLEL 60TWBGA

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Circuits intégrés (CI) / Mémoire
Manufacturer ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - DDR2
Package / Case 60-TFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 400MHz
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.9 V
Supplier Device Package 60-TWBGA (10.5x13)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 2Gb (256M x 8)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-TWBGA (10.5x13)
Access Time 400ps
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
IS43DR16128-3DBL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Circuits intégrés spécialisés 20
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IS43DR16128A-3DBL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Mémoire 2330
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