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IXCY01N90E Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 25µA
Supplier Device Package TO-252
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 Ohm @ 50mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 133pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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