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IXFA8N85XHV
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IXFA8N85XHV Spécifications techniques
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 654pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-263HV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4A, 10V |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 850V |
IXFA8N85XHV Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFA80N25X3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2679 |
IXFA8N50P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2596 |
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