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IXFC110N10P Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Supplier Device Package ISOPLUS220™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarHT™
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case ISOPLUS220™
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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