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IXFE23N100 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 11.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
IXFE24N100 IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Simple 2753

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