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IXFH80N65X2-4 Spécifications techniques

MOSFET N-CH

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247-4L
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 500mA, 10V
Package / Case TO-247-4
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
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