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IXFH88N20Q Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 88A TO-247
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 44A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
IXFH88N20Q Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFH80N06 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2556 |
IXFH80N08 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3567 |
IXFH80N085 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2799 |
IXFH80N10 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2902 |
IXFH80N10Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10340 |
IXFH80N15Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2962 |
IXFH80N20 | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 32365 |
IXFH80N20Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2770 |
IXFH80N25X3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2684 |
IXFH80N30P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2652 |
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