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IXFK360N10T Spécifications techniques

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.9 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 33000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™ HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 525nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 360A (Tc)
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