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IXFN180N20 Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 700W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 660nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A |
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFN10050P | IXYS | Modules IGBT | 5356 |
IXFN100N10 | IXYS | Modules IGBT | 2984 |
IXFN100N10S1 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2752 |
IXFN100N10S2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2711 |
IXFN100N10S3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2898 |
IXFN100N20 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1258 |
IXFN100N25 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2994 |
IXFN100N50P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2799 |
IXFN100N50Q3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2912 |
IXFN100N65X2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2796 |
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