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IXFN27N80 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 400nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 13.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9740pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A
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