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IXFN27N80Q Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A
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IXFN27N80Q fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFN27N80Q prix de référence. IXFN27N80Q paramètres, IXFN27N80Q Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFN27N80Q Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFN27N80Q schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFN27N80Q tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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