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IXFN360N15T2 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series GigaMOS™
Power Dissipation (Max) 1070W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 715nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 60A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 47500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 310A
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IXFN360N15T2 fabricants de marques: IXYS Corporation, Bonchip action, IXFN360N15T2 prix de référence. IXFN360N15T2 paramètres, IXFN360N15T2 Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le IXFN360N15T2 Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver IXFN360N15T2 schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, IXFN360N15T2 tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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