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IXFN50N120SIC Spécifications techniques

MOSFET N-CH

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA
Technology SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 40A, 20V
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +20V, -5V
Supplier Device Package SOT-227B
Power Dissipation (Max) -
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 32 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
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