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IXFP56N30X3M Spécifications techniques

FET N-CHANNEL

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3750pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 300V 56A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220 Isolated Tab
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 28A, 10V
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
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