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IXFT24N90P Spécifications techniques
MOSFET N-CH TO-268
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 12A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
IXFT24N90P Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFT20N100P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5555 |
IXFT20N60Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2537 |
IXFT20N80P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 3555 |
IXFT20N80P | IXYS | Transistors MOSFET simples | |
IXFT20N80Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2799 |
IXFT21N50 | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 4543 |
IXFT21N50F | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 4322 |
IXFT21N50Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2691 |
IXFT220N20X3HV | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2601 |
IXFT23N60Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5555 |
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