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IXFT50N60X Spécifications techniques
MOSFET N-CH 600V 50A TO268
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 73 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
IXFT50N60X Documents
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFT50N20 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2769 |
IXFT50N30Q3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2606 |
IXFT50N50P3 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2609 |
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IXFT50N85XHV | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2729 |
IXFT52N30Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 406 |
IXFT52N30Q TRL | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2576 |
IXFT52N50P2 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2501 |
IXFT58N20 | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2553 |
IXFT58N20Q | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 551 |
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