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IXFV110N10P
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IXFV110N10P Spécifications techniques
MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Produits Semiconducteurs Discrets / Transistors - FETs, MOSFETs - Simple |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Supplier Device Package | PLUS220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHT™ HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 480W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3, Short Tab |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
IXFV110N10P Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
IXFV110N10PS | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2640 |
IXFV12N120P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2512 |
IXFV12N120PS | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2736 |
IXFV12N80P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2557 |
IXFV12N80PS | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2695 |
IXFV12N90 | IXYS Corporation | Circuits intégrés spécialisés | 6 |
IXFV12N90P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2626 |
IXFV12N90PS | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2647 |
IXFV14N80P | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2519 |
IXFV14N80PS | IXYS Corporation | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2647 |
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